晉江新聞網(wǎng)3月14日訊 根據(jù)集成電路國際性專業(yè)協(xié)會SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)的世界晶圓廠預測報告(World Fab Forecast)，最新數(shù)據(jù)顯示，集成電路晶圓廠設備支出將在2019年增長5%，這也是連續(xù)第四年增長。根據(jù)公開的建廠、擴產(chǎn)等計劃，預計中國將成為2018年和2019年晶圓廠設備支出增長的主要驅(qū)動因素。

SEMI預測，三星將在2018年和2019年引領晶圓廠設備支出，但三星投資較2017年下降。相比之下，中國將在2018年大幅增加晶圓設備支出達57%，2019年達到60%，主要體現(xiàn)在跨國公司和國內(nèi)公司的晶圓廠項目。中國支出的飆升預計將在2019年超過韓國，成為首要支出地區(qū)。

此外，2018年，第三大晶圓廠投資地區(qū)臺灣晶圓廠設備支出將下降10%，但預計2019年反彈15%，達到110億美元以上。

正如預期的那樣，中國的晶圓廠設備支出正在增加。2017年，在中國開始建設的26座工廠將于今年和明年開始裝機，這個數(shù)字占全球比例超過半數(shù)。盡管非中國公司在中國的晶圓設備投資占最大份額，不過，中國集成電路企業(yè)預計2019年將增加晶圓廠，將支出份額從2017年的33%增加到2019年的45%。

分析集成電路相關產(chǎn)品線對設備支出的帶動來看，3D NAND(閃存)將帶動相關設備產(chǎn)品領域支出，在2018年和2019年各增長3%，分別達到160億美元和170億美元;DRAM(系統(tǒng)內(nèi)存)在2018年將強勁增長26%，達到140億美元，但預計2019年將下降14%。集成電路產(chǎn)品代工廠在2018年將設備支出達170億美元、增加2%，2019年達220億美元、將增長26%，主要用于支持7納米投資和新產(chǎn)能的增長。

(記者_柯國笠)