元旦小長假期間，泉州芯谷南安分園區及三安高端半導體項目建設現場，仍是一派熱火朝天的施工場景。

三安高端半導體項目建設現場

為加快推動項目建設，確保部分項目在春節前后順利投產，泉州芯谷南安分園區各在建項目發揚連續作戰精神，節假無休，抓緊施工。

據悉，三安高端半導體項目總投資333億元，全部項目計劃5年內實現投產、7年內達產，經營期限不少于25年，將實現年銷售收入270億元、稅收30億元。三安高端半導體項目的成功引進，有助于填補我國相關領域的空白。

三安高端半導體項目2018年3月26日正式打下第一根樁。一期規劃建設面積約125萬平方米，已開工建設約90萬平方米。其中，西地塊總面積約77萬平方米，已開工建設約65萬平方米，封頂60萬平方米;東地塊面積約48萬平方米，已開工建設約25萬平方米，封頂6萬平方米。項目開工建設以來，泉州芯谷南安分園區制定項目前期審批手續服務指南，實行全程代辦、直通快辦、部門包辦制度，提供“一站式”“保姆式”服務。同時，園區加快三安周邊配套項目建設進度，以保障三安項目順利試投產。(通訊員黃永泉 記者陳凌鷺 文/圖)